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MRAM, la posible sustituta universal |
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Por:
Drazhaz |
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Sección:
hardware |
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Fecha:
21/01/2005 |
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La memoria MRAM intentará ser la tecnología sustituta a las actuales Flash y RAM
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El rápido crecimiento en la magnitud de manejo de información por parte de empresas e incluso particulares, ha forzado en los últimos años el aumento en la investigación de nuevos tipos de memorias. Actualmente hay muchos tipos en desarrollo: Memoria de polímeros, FeRAM, nanocristales, RAM basada en nanotubos o memoria "ovonics". Actualmente, la memoria MRAM está disponible en prototipos funcionales y es posible que se haga un hueco en la electrónica de consumo a finales de este año, aunque ciertos analistas de la compañía NanoMarkets no se muestran especialmente esperanzados en el hecho de que esta memoria pueda convertirse en una tecnología universal.
A pesar de todo, la compañía NanoMarkets ha publicado un informe de investigación en el que declara que "el potencial de MRAM se acerca al sueño de una memoria universal." Aunque la tecnología actual impedirá en cierto modo que se haga completamente realidad.
Una vez que la memoria esté disponible en los mercados, inicialmente la incorporarán teléfonos móviles (finales de 2005), le seguirán los dispositivos móviles de proceso (portátiles, etc.) en el 2006, y posteriormente dispositivos portátiles de almacenamiento y reproducción (MP3, memorias portátiles) en el 2007. En la informática del hogar y electrónica de consumo se estima la aparición para 2006.
A pesar de todo lo comentado, la incertidumbre que rodea a la MRAM hará dificil los comienzos de su comercialización y entrada en el mercado, hasta el punto en que hasta el 2008, por lo menos, no alcanzará la misma popularidad que la actual memoria Flash.
Las siguientes compañías están involucradas en el desarrollo y fabricación de la MRAM: Freescale, Hewlett-Packard, Honeywell, IBM, Infineon, NEC/Toshiba, Philips, Renesas, Samsung y Sony.
----Definición--------------
MRAM es un tipo de memoria RAM que combina el bajo coste, la alta capacidad y la alta velocidad junto con la no volatilidad. Lo cual significa que ante un fallo eléctrico, la información no se borra, cosa que si que sucede en las actuales memorias RAM. El ahorro de energía se produce porque MRAM utiliza campos magnéticos para el procesamiento.
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