Intel, Samsung y TSMC colaboran para el desarrollo de obleas de 450mm.
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Intel, Samsung y TSMC colaboran para el desarrollo de obleas de 450mm.

 
Intel, Samsung y TSMC colaboran para el desarrollo de obleas de 450mm.   Por: Javier Rodríguez

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  Sección: hardware
  Fecha: 06/05/2008
   

 


Sería el próximo gran salto en los procesos productivos para la creación de semiconductores más baratos y más ecológicos.



Estos líderes del sector de la fabricación de semiconductores trabajaran de forma conjunta para lograr un prototipo de sistema productivo capaz de desarrollar estos tipos de wafers u obleas que permitirán producir el doble de procesadores que con las actuales obleas de 300mm. Este sistema también reducirá otros costes derivados como la producción de CO2 o el consumo de agua.

Intel pretende que sus procesadores de 22nm se produzcan ya con este nuevo sistema que reducirá notablemente los costes de producción. La colaboración permitirá a todos los participantes de disponer del “know how” para desarrollar esta tecnología y se espera que esté disponible durante 2011.

La nota de prensa oficial dice asi:

5 de mayo de 2008 – Intel Corporation, Samsung Electronics y TSMC han anunciado hoy un acuerdo basado en la necesidad de colaboración de todo el sector para establecer una fecha para la transición a procesos de fabricación con obleas más grandes de 450 mm a partir del año 2012. Esta transición a obleas de mayor tamaño va a permitir el crecimiento permanente del sector de los semiconductores, ayudando a mantener una estructura de costes razonable para el desarrollo y la fabricación de circuitos integrados en el futuro.

Las compañías van a cooperar con el sector de los semiconductores para asegurar que se desarrollan y prueban todos los componentes, las infraestructuras y las prestaciones necesarias para la puesta en marcha de un proyecto piloto en la fecha estimada.

Históricamente, la fabricación con obleas de mayor tamaño permite aumentar la capacidad para producir semiconductores a un coste menor. El área total de la superficie de silicio de una oblea de 450mm y la cantidad de oblea (die) impresa (los procesadores informáticos individuales, por ejemplo) es más del doble de lo que ofrece una oblea de 300mm. Las obleas de mayor tamaño ayudan a reducir los costes de producción por procesador. Asimismo, gracias al empleo más eficiente de energía, de las mismas obleas y de otros recursos, las obleas de mayor tamaño pueden reducir el empleo general de recursos por procesador. De esta forma, la conversión de obleas de 200mm a obleas de 300mm permite disminuir las emisiones combinadas de contaminación del aire, gases de efecto invernadero y agua por procesador, aunque se espera unas mayores reducciones con la transición a obleas de 450mm.

“Nuestro sector cuenta con un largo historial en innovación y resolución de problemas, lo que ha permitido que las transiciones a obleas de mayor tamaño reduzcan los costes por área de silicio procesado y fomenten un crecimiento general del sector,” ha afirmado Bob Bruck, vicepresidente y director general de Ingeniería para Fabricación de Tecnología en el Grupo de Tecnología y Fabricación de Intel. “Nosotros, junto a Samsung y TSMC, hemos acordado que la transición a obleas de 450mm siga el mismo patrón a la hora de ofrecer un incremento de valor a nuestros clientes.”

Intel, Samsung y TSMC han indicado que el sector de los semiconductores puede mejorar los rendimientos de las inversiones realizadas, además de reducir en gran medida los costes de I+D con obleas de 450mm mediante la aplicación de unos estándares similares, racionalizando los cambios que se produzcan en la infraestructura y automatización desde el empleo de las obleas de 300 mm, y colaborando para establecer una fecha de preparación común. Las compañías también han acordado que un punto de vista cooperativo puede servir de ayuda para minimizar los riesgos y los costes de transición.

“La transición a obleas de 450mm va a beneficiar a todo el ecosistema del sector de la Comunicación y de la Información (CI). Para ello, Intel, Samsung y TSMC van a colaborar conjuntamente con suministradores y con otros fabricantes de semiconductores para desarrollar activamente prestaciones diseñadas para utilizar obleas de 450mm,” ha manifestado Cheong-Woo Byun, vicepresidente primero del Centro de Operaciones para Fabricación de Memorias de Samsung Electronics.

Hasta la fecha, la migración a obleas de mayor tamaño ha comenzado tradicionalmente unos 10 años después de la última transición. Siguiendo este esquema, el sector comenzó la transición a obleas de 300mm en el año 2001, una década después de la puesta en marcha de las instalaciones para fabricación (conocidas como “fabs”) que utilizaban obleas de 200 mm en el año 1991.

Siguiendo el ritmo de crecimiento histórico, Intel, Samsung y TSMC han acordado que el año 2012 puede ser una fecha apropiada para comenzar la transición al proceso de fabricación con obleas de 450mm. Dada la complejidad a la hora de integrar todos los componentes para una transición de este tamaño, las compañías reconocen que la evaluación permanente de la fecha acordada será esencial para garantizar la preparación de todo el sector.

“El aumento de costes debido a la complejidad de la tecnología avanzada es una preocupación para el futuro,” ha comentado Mark Liu, vicepresidente primero de Negocios Tecnológicos Avanzados de TSMC. “Intel, Samsung, y TSMC piensan que la transición a obleas de 450mm puede ser una solución potencial para mantener una estructura de costes razonable en el sector.”

Las tres compañías van a seguir colaborando para trabajar con el International Sematech (ISMI), debido a su papel clave como coordinador de los esfuerzos del sector para el suministro de obleas de 450mm, además de su participación en el establecimiento de estándares y en el desarrollo de prestaciones para facilitar bancos de pruebas para equipos.

Intel, Samsung y TSMC colaboran para el desarrollo de obleas de 450mm.

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