SK Hynix anuncia un acuerdo con TSMC para mejorar la eficiencia y rendimiento de la memoria HBM4

Los fabricantes de memorias están trabajando en la próxima generación de la memoria de alto ancho de banda, también conocida como HBM. Samsung ha anunciado que está desarrollando la memoria HBM4 para su llegada durante el 2025 y los demás fabricantes no se han querido quedar atrás. SK Hynix ha anunciado un acuerdo de colaboración con TSMC para el desarrollo y empaquetado de memoria HBM4, algo que ya se había rumoreado con anterioridad. Con este acuerdo se pretende que la memoria HBM4 de SK Hynix esté disponible para su fabricación en masa durante el 2026.

El fabricante de memorias quiere mejorar la lógica de HBM4 y avanzar en el rendimiento de esta en colaboración con TSMC. Para esto ambos mejorarán el rendimiento del troquel base de la parte inferior, y que arriba se apila un núcleo DRAM mediante conexión TSV con un número fijo de capas DRAM. Para esta memoria HBM4 SK Hynix adoptará un proceso avanzado de TSMC para la base, que permitirá personalizar las memorias según se necesite mayor rendimiento o eficiencia. También colaborarán para integrar CoWos de TSMC en las memorias HBM de SK Hynix.

El fabricante espera que con esta colaboración se fabrique memoria HBM4 líder en el mercado, superando las soluciones de otros fabricantes como la presentada por Samsung, y ser la solución ideal para la demanda de aplicaciones para Inteligencia Artificial que se avecina de cara al futuro.

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