Intel introduce su primera memoria NOR Flash de 90 nanometros

La memoria wireless flash fabricada por Intel en la tecnología de procesamiento de 90 nm (un nanometro es una billonesima de un metro) es aproximadamente un 50 por ciento mas pequeña que la generación anterior, lo que baja los costes y dobla la capacidad de manufacturación de Intel para ajustar las necesidades de los usuarios.

El primer producto de memoria flash será un dispositivo de un bit por celda, con dispositivos disponibles mas tarde en este año con la tecnología multi-célula, que soporta el doble de información en una misma célula.

Esta memoria flash wireless hecha en un proceso de 90 nanometros, es la ultima miembro de la tecnología de la línea de encapsulacion de Intel, (Stacked-CSP), ofreciendo un paquete común de salida y variadas soluciones de software flash a través de un gran rango de densidades, la integración de la memoria flash compacta y sus actualizaciones serán fáciles de hacer y de esta forma permitirán a los diseñadores de dispositivos disponer de mas memoria en menos espacio.

Intel combina sus productos de memoria flash de alta densidad con sus opciones de RAM para ofrecer densidades de hasta 1 Gb en un pequeño paquete del tamaño de 8mm x 11 mm.

La memoria flash Intel Wireless basada en el proceso de 90 nm, estará disponible en Abril en densidades de 64 Mb. La producción masiva esta planeada para la primavera de este año, con un precio sugerido de 10.26 dólares en cantidades de 10.000 unidades.

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