Memoria no-volátil nanoelectrónica
por Drazhaz 1Se trata de una memoria con cambio de fase que promete alcanzar la velocidad, densidad, baja tensión y poco consumo para los requisitos de los futuros chips.
La nueva celda de memoria desarrollada por Philips emplea una tecnología similar a los materiales de cambio de fase, que mediante corriente eléctrica es capaz de cambiar entre dos estados y detectar los cambios en una resistencia. La compañía ha puesto muchas esperanzas en este desarrollo puesto que creen poder conseguir a corto plazo la satisfacción de prestaciones y de requisitos de integración, para los futuros chips de silicio.
Lo curioso de este modelo es que no necesita altas tensiones para funcionar, sino todo lo contrario, con un campo eléctrico de 14V/im ya es capaz de pasar de una fase a la otra, cambio que se produce en 30 nanosegundos.
La meta de la industria es conseguir unificar las memorias en una que tenga la velocidad de la SRAM, la densidad de la DRAM y la no-volatibilidad de la Flash, y aunque todavía queda mucho por hacer, este nuevo tipo de memoria ya es un paso más hacia dicho objetivo.
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